딥테크 공학 정본 마스터 아카이브
반도체 정본 43챕터 전권 완편반도체 Vol 0~6 정본 백서 43개 챕터 전권 및 AI 하드웨어·배터리·디스플레이 15개 챕터 (총 58개 챕터 · 158개 공학 도해 · 180개 공정 파라미터 비교표 수록) 라이브러리입니다.
제0권 · 반도체 단위 공정
박막 증착 및 원자층 증착(ALD)
Thin Film Deposition & Atomic Layer Deposition (ALD)
자기제한적 표면 반응을 통한 원자 단위 균일 박막 형성 기술
CMP 화학기계적 연마 및 초임계 세정
Chemical Mechanical Planarization & Cleaning
원자 평탄화와 슬러리 유체역학 및 초미세 결함 제어
플라즈마 건식 및 저온 식각 공정
Plasma Dry & Cryogenic Etching
고에너지 이온 충격(RIE)과 화학적 비등방성 패턴 식각 메커니즘
포토리소그래피 및 EUV 노광
Photolithography & EUV Exposure
13.5nm 파장 주석 플라즈마 광원과 회절 한계 극복 공학
High-NA EUV 노광 시스템 (0.55 NA)
High-NA EUV Scanner (0.55 NA Anamorphic)
비대칭 아나모픽 광학계와 극자외선 심도(DOF) 한계 돌파
이온 주입 및 급속 열처리(RTA)
Ion Implantation & Rapid Thermal Annealing
정밀 도핑 농도 제어와 격자 결함 회복 및 도펀트 활성화 공학
인라인 계측 및 결함 검사 (CD-SEM / OCD)
In-line Metrology & Defect Inspection
원자 현미경 및 산란 계측을 통한 1000단계 누적 수율 통계 관리
제1권 · 반도체 물리 및 접합 이론
에너지 밴드 구조 및 캐리어 통계
Energy Band Structure & Carrier Statistics
페르미-디락 분포, 유효질량(m*) 및 상태밀도(DOS) 역학
금속-반도체 접합 (쇼트키 및 오믹)
Metal-Semiconductor Junction (Schottky & Ohmic)
쇼트키 장벽 높이와 열전자 방출 및 초저저항 접촉 엔지니어링
극저온 Cryo-CMOS 및 격자 결함 물리
Cryogenic CMOS & Quantum Defect Physics
4K/77K 극저온 환경에서의 이동도 급증 및 양자 큐비트 인터페이스
MOS 커패시터 물리 및 C-V 특성
MOS Capacitor Physics & C-V Profiling
축적·공핍·반전 상태 전이와 계면 포획 전하 정밀 분석
PN 접합 다이오드 및 항복 메커니즘
PN Junction Diode & Breakdown Mechanisms
공핍층 정전용량과 애벌랜치 및 제너 항복 전계 해석
캐리어 수송 및 생성·재결합
Carrier Transport & Generation-Recombination
드리프트-확산 모델, 포논 산란 및 캐리어 포화 속도
제2권 · 평면 MOSFET 및 소자 신뢰성
평면 CMOS 8대 표준 제조 공정 플로우
Planar CMOS 8-Step Integration Flow
웰 형성부터 실리사이드 접촉 및 다층 금속 배선까지의 전공정
미세 누설 전류 메커니즘 (GIDL / 터널링)
Nanometer Leakage Mechanisms (GIDL & Tunneling)
게이트 유기 드레인 누설(GIDL) 및 원자 두께 산화막 양자 터널링
점진적 채널 근사(GCA) 및 I-V 모델링
Gradual Channel Approximation & I-V Modeling
선형·포화 영역 드레인 전류 수식 유도와 채널 길이 변조(CLM)
소자 신뢰성 파괴 모드 (BTI / HCI / TDDB)
Device Reliability & Breakdown (BTI, HCI, TDDB)
시간 경과에 따른 절연막 파괴 및 핫 캐리어 주입 열화 모델링
단채널 효과 (DIBL & 펀치스루)
Short Channel Effects (DIBL & Punchthrough)
드레인 유기 장벽 저하(DIBL), 서브문턱 기울기(SS) 열화와 누설 제어
문턱전압(Vth) 및 헤일로 도핑 엔지니어링
Threshold Voltage (Vth) & Halo Doping Engineering
일함수 차이, 기판 바이어스 효과 및 문턱전압 롤오프 방어
제3권 · 첨단 로직 및 3D 트랜지스터
포스트 실리콘 2D 원자층 채널 (MoS2)
2D Transition Metal Dichalcogenides (TMD)
원자 1개 두께 반도체 소재를 이용한 서브 1nm 극미세 게이트 소자
후면 전력 공급망 (BSPDN / PowerVia)
Backside Power Delivery Network (BSPDN)
전력선과 신호선을 웨이퍼 앞뒤로 분리하여 IR 드롭 혁신적 해결
3D 적층 모놀리식 CFET
Monolithic Complementary FET (CFET)
n-FET 상단에 p-FET을 수직 3차원 적층하여 셀 면적 50% 절감
3D FinFET 구조 및 양자 구속 효과
3D FinFET & Tri-Gate Architecture
3면 게이트 감쌈을 통한 단채널 효과 억제와 지느러미 채널 공학
GAA 나노시트 및 MBCFET
Gate-All-Around Nanosheet FET (GAA)
4면 전면 게이트 포위로 정전기적 게이트 제어력을 극대화한 차세대 소자
GAA 이너 스페이서 및 시트 릴리스
Inner Spacer & Nanosheet Release Process
Si/SiGe 초격자 선택적 등방성 식각과 기생 정전용량 최소화 공정
제4권 · 메모리 반도체 공학
차세대 3D DRAM 및 4F² 수직 채널(VCT)
3D DRAM & Vertical Channel Transistor (VCT)
수평 셀 면적 한계를 극복하기 위해 트랜지스터와 커패시터를 3차원 적층
3D NAND HARC 수직 일괄 식각 및 COP
3D NAND HARC Vertical Etch & COP Structure
초고종횡비(>70:1) 채널 홀 일괄 관통 식각과 주변부 회로 하부 배치(COP)
초고대역폭 메모리 HBM3E (ZAZ 커패시터)
High Bandwidth Memory (HBM3E / ZAZ)
초고종횡비 박막 커패시터와 TSV 관통 전극을 결합한 고성능 메모리
HBM4 2048-bit 인터페이스 & CXL 풀링
HBM4 2048-bit Interface & CXL Memory Pooling
파운드리 선단 베이스 다이와 Cu-Cu 하이브리드 본딩을 적용한 6세대 HBM
3D V-NAND (마카로니 채널 & CTF 스택)
3D V-NAND Flash & CTF Architecture
전하 포획형(CTF) 질화막과 원통형 산화물 기둥을 300단 이상 적층
차세대 비휘발성 메모리(MRAM) 및 PIM
Emerging Memory (STT-MRAM) & Processing-In-Memory
스핀전달토크(STT) 자성 메모리와 메모리 내부 병렬 연산(PIM) 아키텍처
제5권 · 전력 반도체 및 특수 소자
BCD 스마트 파워 IC 및 GaN-on-Diamond
BCD Smart Power IC & GaN-on-Diamond
Bipolar+CMOS+DMOS 단일 칩 집적과 초고열전도도 다이아몬드 방열 기판
AlGaN/GaN HEMT & 2DEG 초고주파 소자
Gallium Nitride (GaN) HEMT & 2DEG Physics
자발/압전 분극에 의해 형성된 2차원 전자 가스(2DEG) 고속 수송 물리
IGBT 전도도 변조 및 슈퍼정션 소자
IGBT Conductivity Modulation & Superjunction
전도도 변조 현상을 통한 초고전류 도통과 전력 변환 고효율화
SiC 트렌치 전력 MOSFET
Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET
와이드 밴드갭(3.2eV)을 통한 초고전압 내성과 800V 전기차 인버터 전력 혁신
CMOS 이미지 센서 (CIS 4T Pixel & DTI)
CMOS Image Sensor (CIS 4T Pixel & DTI)
깊은 트렌치 격리(DTI)와 상관 이중 샘플링(CDS)을 통한 초고감도 광학 센싱
제6권 · 첨단 패키징 및 글로벌 생태계
실리콘 포토닉스 및 광학 CPO
Silicon Photonics & Co-Packaged Optics
구리 배선 대신 빛(광자)으로 칩 간 데이터를 전송하여 인터커넥트 전력 30% 절감
반도체 핵심 공학 100대 용어 사전
Essential Semiconductor Engineering 100 Glossary
단위 공정, 소자 물리, 양산 계측, 회로 설계 필수 공학 개념 완편 정리
글로벌 반도체 밸류체인 독점 지도
Global Semiconductor Value Chain & Monopoly Map
WFE 빅5 장비사와 파운드리·OSAT 독점적 공급망 지형도 정밀 분석
2.5D 첨단 이종 집적 패키징 (CoWoS)
2.5D Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)
실리콘 인터포저 위에 로직 다이와 HBM을 평면 결합하는 고밀도 집적 기술
유리 기판 (Glass Substrate) 패키징
Glass Core Packaging Substrate
초평탄 유리 코어로 기판 휨을 억제하고 대면적 고속 전기 신호 무결성 확보
Cu-to-Cu 직접 하이브리드 본딩
Direct Cu-to-Cu Hybrid Bonding
솔더 범프 없이 구리와 유전체를 원자 접촉 결합하여 범프 피치 <1µm 실현
AI 가속기 및 대규모 인프라
빅테크 커스텀 클라우드 ASIC (TPU / Trainium)
Hyperscaler Custom Cloud ASICs
시스톨릭 어레이 행렬 연산 엔진과 하이퍼스케일러 자체 실리콘 전략
차세대 AI 가속기 및 GPU 클러스터
Next-Gen AI Accelerators & GPU Superclusters
텐서 코어, 고밀도 HBM 인터커넥트 및 거대 언어 모델 병렬 학습 아키텍처
CPO 공동 패키징 광학 인터커넥트
Co-Packaged Optics for AI Interconnects
스위치 ASIC과 광학 엔진의 기판 레벨 통합으로 테라비트급 데이터 전송
데이터센터 액체 냉각 (Direct-to-Chip)
Data Center Direct-to-Chip Liquid Cooling
100kW/랙 초고밀도 열부하를 해소하는 냉각수 직접 순환 및 침전 냉각 공학
랙스케일 인프라 및 전력망 연계 시스템
Rack-Scale AI Computing & Power Grid
NVL72 등 단일 거대 컴퓨터 통합 스케일아웃 네트워킹과 기가와트 전력 인프라
차세대 2차전지 및 에너지 소재
LFP 및 망간 강화 LMFP 양극재
Lithium Iron Phosphate & LMFP Cathode
올리빈 구조의 탁월한 열적 안전성과 가격 경쟁력 및 전압 평탄화
하이니켈 NCM / NCMA 삼원계 양극재
High-Nickel NCM/NCMA Cathode
니켈 90% 이상 단결정 양극재를 통한 주행거리 연장 및 열화 방어 공학
AI 데이터센터 연계 대용량 그리드 ESS
Grid-Scale Energy Storage Systems (ESS)
신재생 에너지 출력 변동성 완화 및 AI 팩토리 피크 전력 수요 방어 시스템
실리콘 복합 음극재 (고용량 급속 충전)
Silicon Composite Anode Materials
흑연 대비 10배 용량의 실리콘 나노입자 바인더 및 부피 팽창 제어 기술
전고체 배터리 (황화물·산화물 ASSB)
All-Solid-State Battery (ASSB)
불연성 고체 전해질로 화재 위험을 차단하고 리튬 금속 음극으로 에너지 극대화
차세대 디스플레이 및 공간 컴퓨팅
초박막 강화유리 (UTG) & 글라스 기판
Ultra-Thin Glass (UTG) & Interposer Glass
폴더블 벤딩 내구성과 반도체 고급 인터포저를 지원하는 정밀 유리 소재
무기 발광 마이크로 LED (Micro-LED)
Inorganic Micro-LED Technology
10µm 이하 무기 다이오드 전사 공정과 영구 무번인 초고휘도 자발광 패널
OLEDoS 공간 컴퓨팅 마이크로 디스플레이
OLED on Silicon (OLEDoS) for Spatial XR
실리콘 웨이퍼 백플레인 위에 초미세 유기 발광 소자를 집적한 4000 PPI 디스플레이
8.6세대 IT용 고생산성 OLED
Gen 8.6 IT OLED Manufacturing
태블릿·노트북 중형 패널 양산 원가를 혁신하는 대형 원장 유리 기판 증착 팹
투 스택 탠덤 OLED (Tandem OLED)
Two-Stack Tandem OLED
발광층을 2개 층으로 직렬 적층하여 소비전력 30% 절감 및 수명 4배 연장