SIC GAN
SIC GAN
첨단 공학 원리 및 메커니즘
연계 실시간 산업 동향
※ 해당 개념의 24시간 내 직접 속보가 없어 반도체 공학 편 대표 실시간 공급망 뉴스를 연동합니다.
SK하이닉스, 세계 최초 16단 HBM4 양산 출하 개시… TSMC CoWoS-L 공정 직결
SK하이닉스가 6세대 HBM4 16단 48GB 모듈 양산에 돌입했다. 베이스 다이에 TSMC 3나노 파운드리 공정을 적용하고 Cu-Cu 하이브리드 본딩을 결합하여 대역폭 2.2TB/s를 달성했다.
ASML, 차세대 0.55 High-NA EUV 노광기 'EXE:5200' 2026 출하 가속… 인텔·TSMC 14A 도입 경쟁
ASML이 시간당 웨이퍼 220매를 처리하는 0.55 NA High-NA EUV 상용 모델 EXE:5200 양산 라인 가동을 알렸다. 인텔 14A와 TSMC A14 공정의 2026-2027 도입 선점이 가시화된다.
TSMC, 2나노(N2) GAA 공정 양산 수율 70% 돌파… 애플 A19 Pro 전량 단독 생산 확정
TSMC 신주 바오산 20팹의 2nm 나노시트(GAA) 공정 수율이 70%대에 안착하며 애플 차세대 AP A19 Pro 양산에 들어갔다. 고성능 HPC 고객사를 겨냥한 N2P 및 후면전력 A16 준비도 순항 중이다.
석 달 만에 '사상 최대'…'60조' 마이크론, 다음은 '190조' 삼전닉스
미국 메모리 반도체 기업 마이크론테크놀로지가 사상 최대 분기 실적을 기록했다. 인공지능(AI) 데이터센터 투자 확대가 메모리 수요를 끌어올린 결과다. 다음 분기 실적 전망도 시장 기대를 웃돌았다. 메모리 슈퍼사이클에 대한 기대감이 커지는 가운데 시장의 시선은 삼성...
TSMC, AI 가속기 수요 폭증에 CoWoS 인터포저 생산능력 월 6.5만 장으로 긴급 증설
엔비디아 블랙웰 및 커스텀 ASIC 수요 확대에 따라 TSMC 타이난 첨단 패키징 6공장의 CoWoS-L/S 라인을 풀가동하고, 2026년 말까지 월 생산능력을 기존 목표치 대비 25% 상향했다.
삼성전기·SKC, 2026 차세대 글라스 기판 파일럿 라인 가동… 대면적 칩렛 패키징 패러다임 전환
유기 기판(FC-BGA)의 휨 현상과 미세 피치 한계를 극복하는 글라스 기판이 양산 검증에 들어갔다. TGV(Through Glass Via) 가공 수율 개선으로 AI 가속기용 기판 공급망 진입이 임박했다.
Deep Dive 연계 학술 논문
미세유체 다이아몬드 기판을 활용한 3D 반도체 극한 국소 발열(1,500 W/cm²) 직접 방열 기술
S. Graham, E. Pop, R. Prasher et al.
고출력 실리콘 로직 다이에 단결정 인조 다이아몬드 미세유체 채널 히트싱크를 직접 접합하여 1,500 W/cm² 이상의 극한 국소 열유속을 방열했다. 계면 열경계저항을 5 m²K/GW 이하로 낮추고 접합부 온도를 42℃ 냉각시켰다.
볼츠만 한계를 돌파한 38 mV/dec 콜드 소스 전계효과 트랜지스터(Cold-Source FET)
C. Qiu, Z. Zhang, L.-M. Peng et al.
협대역 반금속 양자우물을 소스 접합부에 도입하여 소스 상태밀도를 공학적으로 제어함으로써 상온 300K에서 4개 전류 자릿수에 걸쳐 최저 38 mV/dec 서브스레숄드 스윙을 실현, 통상 MOSFET의 60mV 열역학 한계를 극복했다.
실리콘 기판 직접 집적 상온 150mW 연속파 테라헤르츠 양자 폭포 레이저(QCL)
Q. Hu, B. S. Williams, S. Kumar et al.
SOI 기판 위에 GaAs/AlGaAs 양자 폭포 활성층을 직접 이종 에피택시 성장하여 상온 3.4 THz 대역에서 150 mW 이상의 연속파 광출력을 달성, 칩 스케일 6G 무선 국부 발진기 및 테라헤르츠 센서 집적을 실현했다.
5G/6G 고주파 파워 소자를 위한 광대역 GaN과 다결정 다이아몬드 기판 표면 활성화 상온 접합
M. Kuball, J. W. Pomeroy, F. Ejeckam et al.
150mm GaN-on-Si 에피층을 표면 활성화 상온 접합 기술로 다결정 다이아몬드 기판에 직접 접합하여 800 W/mm의 고효율 방열과 3.5 GW/cm² 이상의 전력 성능 지수를 달성했다.
4nm FinFET 로직 위에 16MB 저항변화메모리(RRAM)를 적층한 즉시 켜짐(Instant-On) 3D 프로세서
S. Mitra, H.-S. P. Wong, M. M. Sabry et al.
4nm FinFET 상단 배선층에 16MB 비휘발성 RRAM을 모놀리식 3D 적층하여 메모리 버스 지연을 원천 제거하고, 12ns 내에 전체 시스템 체크포인트를 완료하는 무대기 전력 프로세서를 시연했다.